Znanstveniki so ustvarili napravo, ki bo ponujala oba spomina (bralno-pisalni in bralni), združena v enem. To bi lahko pomenilo revolucijo v računalništvu, saj bi se predvsem hitrosti hrambe in prenosa podatkov močno povečale.
Tradicionalno sta bralni (ROM) bralno-pisalni (RAM) spomin ločena, RAM sestavljajo zelo hitri čipi s hitrimi prenosi podatkov, vendar hranijo podatke le takrat, ko so priklopljeni na elektriko. ROM (trdi diski, SSD) je na drugi strani počasnejši, vendar večji, zavzema manj prostora in hrani podatke tudi v izklopljenem stanju. S prihodom NAND spomina pa so se začela pojavljati ugibanja, da bi oba spomina poskušali združiti in da bi omogočili dovolj velike hitrosti (kot pri RAMU) in obstoj podatkov na enoti.
Znanstveniki na univerzi v Severni Karolini (NCSU) so razvili nov modul, ki so ga poimenovali DFG-FET (učinek dvojnega lebdečega prehoda). Raziskovalci so prišli na idejo, da bi do spominske celice potegnili dva FET prehoda, ki ju ločuje silicijev oksid. Na njiju so postavili kontrolni prehod, ki s pomočjo različne napetosti uravnava prehodnost dveh omenjenih prehodov.
Naprava z dvema tranzistorjema bere kot RAM celica s hitrosjo 0,31 – 2,18 nanosekunde, kar je podobno hitro kot SDRAM in hitreje kot DRAM. Piše s hitrostjo 50 nanosekund v naelektrenem stanju ('1') in v 10 mikrosekundah v nenaelektrenem stanju. Za stanje stalne hrambe podatkov pa naprava lahko piše s hitrostjo med 10 in 30 milisekund.
Najprej bo spominski modul prirejen za strežniške farme, kjer bo zmanjšal porabo energije ravno z naslova novih spominskih enot. Do sedaj posameznih sklopov niso smeli izklapljati, saj je tako procesni spomin, pomemben za delovanej programov, šel v nič. Tako bodo lahko prihranili veliko energije s hitro pretvorbo delovnega spomina v stalnega in obratno, kar se bo poznalo tudi hitrosti procesiranja.
KOMENTARJI (4)
Opozorilo: 297. členu Kazenskega zakonika je posameznik kazensko odgovoren za javno spodbujanje sovraštva, nasilja ali nestrpnosti.
PRAVILA ZA OBJAVO KOMENTARJEV