Z novimi čipi do norih hitrosti

Naleteli so namreč na posebno strukturo silicijevega oksida, ki spreminja upornost s precej večjo učinkovitostjo kot katerikoli drugi znan material. Ta sprememba v upornosti je bistvo računalniškega spomina, saj se material spominja naboja tudi po tem, ko se ta prekine. Bolj učinkovita sprememba v upornosti pomeni bolj učinkovite silicijeve čipe.

V tej novi silicijevi strukturi pa se silicijevi atomi spremenijo in tvorijo silicijevo 'nit' znotraj trdnega silicijevega oksida. Tako ima material dve različni stanji: eno z nitmi in drugo brez njih.

Sicer obstajajo podobni čipi, kot je izum Londonskih znanstvenikov, vendar vsi za delovanje potrebujejo vakuum. Čip iz silicijevega oksida, vakuuma ne potrebuje. Zaradi tega jih bo lažje izdelovati, trajnejši in cenejši. Poleg tega jih bomo lahko imeli tudi v pametnih telefonih.

„Naši čipi potrebujejo eno tisočinko energije, a so stokrat hitrejši od standardnega čipa Flash spomina,“ je dejal vodja projekta, dr. Tony Kenyon.

Ni še znano, kdaj bi lahko pričakovali prve naprave z novimi čipi, a kot kaže, se jih lahko nadejamo relativno v kratkem.

Svoje mnenje pa lahko izrazite tudi na naši Facebook strani!